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Lge Technology

Diode Schottky 40V 1A 1N5819

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Référence produit : 1N5819
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension inverse de crête (Vrrm)40V
Courant direct (If)1A
Tension directe (Vf)0.6V (typ.)
Courant de crête non répétitif (Ifsm)25A
Courant de fuite (Ir)1mA

Description technique du produit (1N5819):

Diode Schottky 40V 1A 1N5819. Diode Schottky de redressement, caractérisée par une faible chute de tension directe et un temps de commutation très rapide, idéale pour les applications de redressement à haute fréquence et les alimentations à découpage.

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