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ON Semiconductor

Diode Schottky 30V 3A MBRS330T3G

Référence produit : MBRS330T3G
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La quantité doit être un multiple de 10. La valeur a été ajustée.

Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension inverse de crête (Vrrm)30V
Courant direct (If)3A
Tension directe (Vf)0.47V
Courant de crête non répétitif (Ifsm)75A
Courant de fuite (Ir)0.5mA

Description technique du produit (MBRS330T3G):

Diode Schottky 30V 3A MBRS330T3G. Diode Schottky de redressement de puissance, conçue pour des applications à faible tension et haute fréquence. Elle offre une faible chute de tension directe et un temps de commutation très rapide.