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Taiwan Semicon

Diode Schottky 30V 1A SK13B

Référence produit : SK13B
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension inverse de crête (Vrrm)30V
Courant direct (If)1A
Tension directe (Vf)0.5V @ 1A
Courant de crête non répétitif (Ifsm)40A
Courant de fuite (Ir)0.5mA

Description technique du produit (SK13B):

Diode Schottky 30V 1A SK13B. Diode de redressement Schottky de surface, caractérisée par une faible chute de tension directe et un temps de commutation rapide. Idéale pour les applications nécessitant une haute efficacité.