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Nxp Semiconductor

Diode Schottky 30V 0.2A BAT854CW

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Référence produit : BAT854CW
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension inverse de crête (Vrrm)30V
Courant direct (If)200mA
Tension directe (Vf)0.37V @ 100mA
Courant de crête non répétitif (Ifsm)1A
Courant de fuite (Ir)2µA @ 25V

Description technique du produit (BAT854CW):

Diode Schottky 30V 0.2A BAT854CW. Diode Schottky de commutation à faible chute de tension directe et temps de commutation rapide, idéale pour les applications de redressement et de commutation à haute fréquence.

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