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Nxp Semiconductors

Diode Schottky 30V 0.2A BAT54S-215

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Référence produit : BAT54S-215
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension inverse de crête (Vrrm)30V
Courant direct (If)200mA
Tension directe (Vf)0.24V @ 100mA
Courant de fuite (Ir)2µA @ 25V
Courant de crête non répétitif (Ifsm)0.5A

Description technique du produit (BAT54S-215):

Diode Schottky 30V 0.2A BAT54S-215. Diode Schottky double en série, conçue pour les applications de commutation rapide et de redressement à faible perte. Elle offre une faible tension directe et un temps de recouvrement inverse très court.

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