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On Semiconductor

Diode Schottky 30V 0.2A BAT54CLT1G

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Référence produit : BAT54CLT1G
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension inverse de crête (Vrrm)30V
Courant direct (If)200mA
Tension directe (Vf)0.24V @ 10mA
Courant de crête non répétitif (Ifsm)0.6A
Courant de fuite (Ir)2µA

Description technique du produit (BAT54CLT1G):

Diode Schottky 30V 0.2A BAT54CLT1G. Diode Schottky de commutation à faible courant, encapsulée en SOT-23. Elle offre une faible tension directe et un temps de commutation très rapide, la rendant idéale pour les applications à haute fréquence et de protection.

. Vendu par lot de 3000 (le prix affiché est pour un lot de 3000)