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Matsushita
Diode Schottky 30V 0.1A MA3DF30
Référence produit : MA3DF30
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 2.88 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension inverse de crête (Vrrm) | 30V |
| Courant direct (If) | 100mA |
| Tension directe (Vf) | 0.35V |
| Courant de fuite (Ir) | 30µA |
| Courant de crête non répétitif (Ifsm) | 1A |
Description technique du produit (MA3DF30):
Diode Schottky 30V 0.1A MA3DF30. Diode Schottky barrière à faible tension directe et temps de commutation rapide, idéale pour les applications de redressement et de commutation à haute fréquence.