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General Semiconductor

Diode Schottky 20V 1A 1N5817

Vendu par lot de 10 (le prix affiché est pour un lot de 10)
Référence produit : 1N5817
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Caractéristiques techniques

6 paramètres
Tension inverse de crête (Vrrm)20V
Courant direct (If)1A
Tension directe (Vf)0.45V @ 1A
Courant de crête non répétitif (Ifsm)40A
Courant de fuite (Ir)1mA @ 20V
Temps de recouvrement (trr)Très rapide

Description technique du produit (1N5817):

Diode Schottky 20V 1A 1N5817. Diode de redressement Schottky de 1A, 20V, caractérisée par une faible tension directe et un temps de commutation très rapide. Idéale pour les applications de redressement à haute fréquence et faible perte.

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