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ON Semiconductor
Diode Schottky 200V 3A MBRS3200T3G
Référence produit : MBRS3200T3G
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 199 | 0.72 € | — |
| 200+Meilleur prix | 0.67 € | -7% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension inverse de crête (Vrrm) | 200V |
| Courant direct (If) | 3A |
| Tension directe (Vf) | 0.85V (max. @ 3A) |
| Courant de crête non répétitif (Ifsm) | 100A |
| Courant de fuite (Ir) | 0.1mA (max. @ 200V) |
Description technique du produit (MBRS3200T3G):
Diode Schottky 200V 3A MBRS3200T3G. Diode de redressement Schottky de 3A, 200V, caractérisée par une faible chute de tension directe et un temps de commutation rapide. Idéale pour les applications nécessitant une haute efficacité.