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Taiwan Semicon
Diode Schottky 200V 10A MBRS10H200CT
Référence produit : MBRS10H200CT
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 9 | 1.10 € | — |
| 10 – 29 | 0.79 € | -28% |
| 30 – 49 | 0.71 € | -35% |
| 50 – 99 | 0.65 € | -41% |
| 100 – 199 | 0.60 € | -45% |
| 200 – 799 | 0.58 € | -47% |
| 800+Meilleur prix | 0.58 € | -47% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension inverse de crête (Vrrm) | 200V |
| Courant direct (If) | 10A (par diode) |
| Tension directe (Vf) | 0.85V @ 5A |
| Courant de crête non répétitif (Ifsm) | 120A |
| Courant de fuite (Ir) | 100µA |
Description technique du produit (MBRS10H200CT):
Diode Schottky 200V 10A MBRS10H200CT. Diode de redressement Schottky double avec cathode commune, conçue pour des applications de redressement à haute fréquence et faible perte.