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Taiwan Semicon
Diode Schottky 200V 10A MBR10200
Référence produit : MBR10200
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 9 | 1.09 € | — |
| 10 – 19 | 0.79 € | -28% |
| 20 – 49 | 0.72 € | -34% |
| 50+Meilleur prix | 0.66 € | -39% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension inverse de crête (Vrrm) | 200V |
| Courant direct (If) | 10A |
| Tension directe (Vf) | 0.9V (typ. @ 5A) |
| Courant de crête non répétitif (Ifsm) | 100A |
| Courant de fuite (Ir) | 0.1mA |
Description technique du produit (MBR10200):
Diode Schottky 200V 10A MBR10200. Diode Schottky de redressement, caractérisée par une faible chute de tension directe et un temps de commutation très rapide. Idéale pour les applications de redressement à haute fréquence.