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ON Semiconductor

Diode Schottky 1200V 50A FFSH50120A

Référence produit : FFSH50120A
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La quantité doit être un multiple de 10. La valeur a été ajustée.
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension inverse de crête (Vrrm)1200V
Courant direct (If)50A
Tension directe (Vf)1.7V (typ.)
Courant de fuite (Ir)100µA (max.)
Temps de recouvrement (trr)Négligeable

Description technique du produit (FFSH50120A):

Diode Schottky 1200V 50A FFSH50120A. Diode Schottky au carbure de silicium (SiC) de 1200V, 50A, offrant des performances de commutation supérieures, une faible perte de conduction et une récupération inverse quasi nulle. Idéale pour les applications de puissance exigeantes.