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Infineon Technologies
Diode Schottky 1200V 30A IDWD30G120C5XKSA1
Référence produit : IDWD30G120C5XKSA1
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 1 | 34.44 € | — |
| 2 – 2 | 31.39 € | -9% |
| 3 – 4 | 29.02 € | -16% |
| 5 – 7 | 26.64 € | -23% |
| 8 – 9 | 24.86 € | -28% |
| 10+Meilleur prix | 24.13 € | -30% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension inverse de crête (Vrrm) | 1200V |
| Courant direct (If) | 30A |
| Tension directe (Vf) | 1.7V (typ.) |
| Temps de recouvrement (trr) | Négligeable |
| Courant de fuite (Ir) | Faible |
Description technique du produit (IDWD30G120C5XKSA1):
Diode Schottky 1200V 30A IDWD30G120C5XKSA1. Diode Schottky en carbure de silicium (SiC) de 1200V, 30A, offrant une performance de commutation supérieure et une récupération inverse quasi nulle. Idéale pour les applications de puissance exigeantes.