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Stmicroelectronics

Diode Schottky 10V 0.015A 1N5711

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Référence produit : 1N5711
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension inverse de crête (Vrrm)10V
Courant direct (If)15mA
Tension directe (Vf)0.41V @ 1mA
Courant de fuite (Ir)100nA @ 5V
Capacité (Ct)2pF @ 0V, 1MHz

Description technique du produit (1N5711):

Diode Schottky 10V 0.015A 1N5711. Diode Schottky à barrière, conçue pour les applications de commutation rapide et de détection RF. Elle offre une faible tension directe et un temps de commutation très rapide.

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