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Taiwan Semiconductor

Diode Schottky 100V 20A MBRF20H100CT

Référence produit : MBRF20H100CT
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension inverse de crête (Vrrm)100V
Courant direct (If)20A (par diode)
Tension directe (Vf)0.78V @ 10A
Courant de crête non répétitif (Ifsm)150A
Courant de fuite (Ir)100µA @ 100V

Description technique du produit (MBRF20H100CT):

Diode Schottky 100V 20A MBRF20H100CT. Diode Schottky de redressement à double anode commune, offrant une faible chute de tension directe et un temps de recouvrement très rapide. Idéale pour les applications de commutation haute fréquence.