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Diode Schottky 100V 1A MBRS1100T3G

Référence produit : MBRS1100T3G
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension inverse de crête (Vrrm)100V
Courant direct (If)1A
Tension directe (Vf)0.75V @ 1A
Courant de crête non répétitif (Ifsm)30A
Courant de fuite (Ir)0.5mA

Description technique du produit (MBRS1100T3G):

Diode Schottky 100V 1A MBRS1100T3G. Diode Schottky de redressement de 1A, 100V, conçue pour des applications de redressement général et de roue libre où une faible chute de tension directe et une commutation rapide sont requises.