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Onsemi

Diode Schottky 100V 10A MBR10100G

Référence produit : MBR10100G
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension inverse de crête (Vrrm)100V
Courant direct (If)10A
Tension directe (Vf)0.85V max @ 10A
Courant de crête non répétitif (Ifsm)150A
Courant de fuite (Ir)0.1mA max

Description technique du produit (MBR10100G):

Diode Schottky 100V 10A MBR10100G. Diode Schottky de redressement, offrant une faible chute de tension directe et un temps de commutation très rapide. Idéale pour les applications nécessitant une haute efficacité.