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Taiwan Semiconductor
Diode Schottky 100V 10A MBR10100CT
Référence produit : MBR10100CT
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 99 | 1.01 € | — |
| 100+Meilleur prix | 0.92 € | -9% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension inverse de crête (Vrrm) | 100V |
| Courant direct (If) | 10A (par diode) |
| Tension directe (Vf) | 0.85V |
| Courant de crête non répétitif (Ifsm) | 150A |
| Courant de fuite (Ir) | 0.1mA |
Description technique du produit (MBR10100CT):
Diode Schottky 100V 10A MBR10100CT. Diode de redressement Schottky à double anode commune, conçue pour des applications de redressement à haute fréquence et faible perte.