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Samsung
Diode rapide 200V 9A YG911S2
Référence produit : YG911S2
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 4.04 € | — |
Caractéristiques techniques
6 paramètres| Tension inverse de crête (Vrrm) | 200V |
| Courant direct (If) | 9A (par diode) |
| Tension directe (Vf) | 0.98V |
| Temps de recouvrement (trr) | 25ns |
| Courant de crête non répétitif (Ifsm) | 100A |
| Courant de fuite (Ir) | 10µA |
Description technique du produit (YG911S2):
Diode rapide 200V 9A YG911S2. Diode de redressement rapide double, conçue pour les applications nécessitant une commutation à haute vitesse et un faible temps de recouvrement inverse. Elle offre une faible tension directe et une haute capacité de courant.