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On Semiconductor

Diode rapide 80V 0.2A BAV199LT1G

Vendu par lot de 3000 (le prix affiché est pour un lot de 3000)
Référence produit : BAV199LT1G
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La quantité doit être un multiple de 10. La valeur a été ajustée.
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension inverse de crête (Vrrm)80V
Courant direct (If)200mA
Tension directe (Vf)1.25V @ 150mA
Temps de recouvrement (trr)4ns
Courant de fuite (Ir)25nA @ 70V

Description technique du produit (BAV199LT1G):

Diode rapide 80V 0.2A BAV199LT1G. La BAV199LT1G est une diode de commutation rapide à usage général, conçue pour des applications nécessitant une commutation rapide et une faible tension directe. Elle est encapsulée dans un boîtier SOT-23 compact, idéal pour les circuits à haute densité.

. Vendu par lot de 3000 (le prix affiché est pour un lot de 3000)