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Vishay (general Semiconductor)

Diode rapide 80V 0.2A BAS385

Référence produit : BAS385
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension inverse de crête (Vrrm)80V
Courant direct (If)200mA
Tension directe (Vf)1.25V @ 150mA
Temps de recouvrement (trr)4ns
Courant de fuite (Ir)100nA @ 70V

Description technique du produit (BAS385):

Diode rapide 80V 0.2A BAS385. Diode de commutation rapide conçue pour les applications nécessitant une commutation à haute vitesse et une faible capacité.