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Taiwan Semicon

Diode rapide 800V 8A SFA808G

Référence produit : SFA808G
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Caractéristiques techniques

6 paramètres
Tension inverse de crête (Vrrm)800V
Courant direct (If)8A
Tension directe (Vf)1.3V @ 8A
Temps de recouvrement (trr)35ns
Courant de crête non répétitif (Ifsm)150A
Courant de fuite (Ir)10µA

Description technique du produit (SFA808G):

Diode rapide 800V 8A SFA808G. Diode de redressement super rapide conçue pour les applications nécessitant une commutation rapide et une faible perte de puissance. Idéale pour les alimentations à découpage et les convertisseurs.