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General Semiconductor
Diode rapide 800V 3A BY458
Référence produit : BY458
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 0.42 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension inverse de crête (Vrrm) | 800V |
| Courant direct (If) | 3A |
| Tension directe (Vf) | 1.1V |
| Temps de recouvrement (trr) | 250ns |
| Courant de crête non répétitif (Ifsm) | 150A |
Description technique du produit (BY458):
Diode rapide 800V 3A BY458. Diode de redressement à recouvrement rapide et avalanche contrôlée, conçue pour les applications de redressement général et les alimentations à découpage.