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On Semiconductor

Diode rapide 70V 0.2A BAV70LT1G

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Référence produit : BAV70LT1G
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension inverse de crête (Vrrm)70V
Courant direct (If)200mA
Tension directe (Vf)1.0V @ 150mA
Temps de recouvrement (trr)6ns
Courant de fuite (Ir)2.5µA @ 70V

Description technique du produit (BAV70LT1G):

Diode rapide 70V 0.2A BAV70LT1G. Diode de commutation rapide double en série, conçue pour des applications générales de commutation. Elle offre un temps de recouvrement inverse très court et une faible tension directe.

. Vendu par lot de 25 (le prix affiché est pour un lot de 25)