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ON Semiconductor

Diode rapide 600V 8A MUR860G

Référence produit : MUR860G
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension inverse de crête (Vrrm)600V
Courant direct (If)8A
Tension directe (Vf)1.25V @ 8A
Temps de recouvrement (trr)60ns
Courant de crête non répétitif (Ifsm)125A

Description technique du produit (MUR860G):

Diode rapide 600V 8A MUR860G. Diode de redressement ultra-rapide conçue pour les applications nécessitant une commutation rapide et une faible perte de puissance.