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Taiwan Semiconductor

Diode rapide 600V 8A MUR860-C0

Référence produit : MUR860-C0
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Caractéristiques techniques

6 paramètres
Tension inverse de crête (Vrrm)600V
Courant direct (If)8A
Tension directe (Vf)1.25V
Temps de recouvrement (trr)60ns
Courant de crête non répétitif (Ifsm)150A
Courant de fuite (Ir)5µA

Description technique du produit (MUR860-C0):

Diode rapide 600V 8A MUR860-C0. Diode de redressement ultra-rapide conçue pour les applications nécessitant une commutation rapide et une faible perte de puissance.