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Nxp Semiconductor

Diode rapide 200V 8A BYW29EX-200-127

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Référence produit : BYW29EX-200-127
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Caractéristiques techniques

6 paramètres
Tension inverse de crête (Vrrm)200V
Courant direct (If)8A
Tension directe (Vf)0.95V
Temps de recouvrement (trr)25ns
Courant de crête non répétitif (Ifsm)80A
Courant de fuite (Ir)10µA

Description technique du produit (BYW29EX-200-127):

Diode rapide 200V 8A BYW29EX-200-127. Diode de puissance ultra-rapide conçue pour les applications de redressement et de commutation à haute fréquence. Elle offre un faible temps de recouvrement inverse et une faible tension directe.

. Vendu par lot de 50 (le prix affiché est pour un lot de 50)