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On Semiconductor

Diode rapide 200V 3A MURD320T4G

Référence produit : MURD320T4G
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Caractéristiques techniques

6 paramètres
Tension inverse de crête (Vrrm)200V
Courant direct (If)3A par diode (6A total)
Tension directe (Vf)0.95V @ 3A
Temps de recouvrement (trr)25ns
Courant de crête non répétitif (Ifsm)75A
Courant de fuite (Ir)5µA

Description technique du produit (MURD320T4G):

Diode rapide 200V 3A MURD320T4G. La MURD320T4G est une diode de redressement ultra-rapide double, conçue pour des applications nécessitant une commutation rapide et une faible perte de puissance. Elle est idéale pour les redressements de sortie dans les alimentations à découpage, les convertisseurs DC-DC et comme diode de roue libre.