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Ge (tungsram)

Diode rapide 200V 2A EGP20D

Référence produit : EGP20D
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Caractéristiques techniques

6 paramètres
Tension inverse de crête (Vrrm)200V
Courant direct (If)2.0A
Tension directe (Vf)0.95V
Courant de crête non répétitif (Ifsm)75A
Temps de recouvrement (trr)50ns
Courant de fuite (Ir)5µA

Description technique du produit (EGP20D):

Diode rapide 200V 2A EGP20D. Diode de redressement rapide, conçue pour des applications nécessitant une commutation rapide et une faible perte de puissance. Elle offre une tension inverse de crête élevée et un temps de recouvrement inverse court.