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Philips Semiconductors
Diode rapide 200V 20A BYV32EB-200
Référence produit : BYV32EB-200
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 9 | 1.48 € | — |
| 10 – 29 | 1.13 € | -24% |
| 30 – 49 | 1.02 € | -31% |
| 50 – 799 | 0.94 € | -36% |
| 800+Meilleur prix | 0.94 € | -36% |
Caractéristiques techniques
6 paramètres| Tension inverse de crête (Vrrm) | 200V |
| Courant direct (If) | 20A |
| Tension directe (Vf) | 0.85V |
| Temps de recouvrement (trr) | 25ns |
| Courant de crête non répétitif (Ifsm) | 150A |
| Courant de fuite (Ir) | 10µA |
Description technique du produit (BYV32EB-200):
Diode rapide 200V 20A BYV32EB-200. Diode de redressement ultra-rapide à haute efficacité, conçue pour les applications nécessitant une commutation rapide et de faibles pertes de conduction.