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ON Semiconductor

Diode rapide 200V 1A BYW80-200

Référence produit : BYW80-200
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension inverse de crête (Vrrm)200V
Courant direct (If)1A
Tension directe (Vf)0.85V
Temps de recouvrement (trr)25ns
Courant de crête non répétitif (Ifsm)30A

Description technique du produit (BYW80-200):

Diode rapide 200V 1A BYW80-200. Diode de redressement à recouvrement rapide, conçue pour les applications nécessitant une commutation rapide et une faible perte de puissance.