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On Semiconductor

Diode rapide 200V 0.2A BAS21LT1G

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Référence produit : BAS21LT1G
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension inverse de crête (Vrrm)200V
Courant direct (If)200mA
Tension directe (Vf)1.25V @ 200mA
Temps de recouvrement (trr)50ns
Courant de fuite (Ir)100nA

Description technique du produit (BAS21LT1G):

Diode rapide 200V 0.2A BAS21LT1G. Diode de commutation à usage général, conçue pour des applications de commutation rapide. Elle offre une faible tension directe et un temps de recouvrement inverse rapide.

. Vendu par lot de 10 (le prix affiché est pour un lot de 10)