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Nxp Semiconductors
Diode rapide 150V 30A BYV42E-150
Référence produit : BYV42E-150
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 1.99 € | — |
Caractéristiques techniques
6 paramètres| Tension inverse de crête (Vrrm) | 150V |
| Courant direct (If) | 30A |
| Tension directe (Vf) | 0.85V |
| Temps de recouvrement (trr) | 25ns |
| Courant de crête non répétitif (Ifsm) | 200A |
| Courant de fuite (Ir) | 10µA |
Description technique du produit (BYV42E-150):
Diode rapide 150V 30A BYV42E-150. Diode de redressement hyper rapide conçue pour les applications de commutation à haute fréquence, offrant un temps de recouvrement inverse très court et une faible tension directe.
