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Nxp Semiconductors

Diode rapide 120V 0.2A BAS45A

Référence produit : BAS45A
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension inverse de crête (Vrrm)120V
Courant direct (If)200mA
Tension directe (Vf)1.25V @ 150mA
Temps de recouvrement (trr)4µs
Courant de fuite (Ir)100nA @ 100V

Description technique du produit (BAS45A):

Diode rapide 120V 0.2A BAS45A. La BAS45A est une diode de commutation à usage général, conçue pour des applications nécessitant une commutation rapide et un redressement efficace. Elle offre une tension inverse de crête élevée et un faible courant de fuite.