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IXYS

Diode rapide 1200V 30A DSEI2X30-12B

Référence produit : DSEI2X30-12B
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Caractéristiques techniques

6 paramètres
Tension inverse de crête (Vrrm)1200V
Courant direct (If)30A
Tension directe (Vf)2.1V
Temps de recouvrement (trr)35ns
Courant de crête non répétitif (Ifsm)200A
Courant de fuite (Ir)0.5mA

Description technique du produit (DSEI2X30-12B):

Diode rapide 1200V 30A DSEI2X30-12B. Diode de redressement rapide (HiPerFRED™) avec une tension inverse de crête de 1200V et un courant direct de 30A par diode. Elle offre un temps de recouvrement inverse très court, minimisant les pertes de commutation.