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ON Semiconductor
Diode rapide 1200V 10A MUR10120E
Référence produit : MUR10120E
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 4.15 € | — |
Caractéristiques techniques
6 paramètres| Tension inverse de crête (Vrrm) | 1200V |
| Courant direct (If) | 10A |
| Tension directe (Vf) | 2.0V |
| Temps de recouvrement (trr) | 50ns |
| Courant de crête non répétitif (Ifsm) | 100A |
| Courant de fuite (Ir) | 10µA |
Description technique du produit (MUR10120E):
Diode rapide 1200V 10A MUR10120E. Diode de redressement ultra-rapide conçue pour les applications nécessitant une commutation rapide et une faible perte de puissance. Elle offre une tension inverse élevée et un temps de recouvrement inverse très court.