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IXYS

Diode rapide 1200V 10A DSEI2X101-12A

Référence produit : DSEI2X101-12A
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Caractéristiques techniques

6 paramètres
Tension inverse de crête (Vrrm)1200V
Courant direct (If)10A par diode
Tension directe (Vf)2.1V
Temps de recouvrement (trr)35ns
Courant de crête non répétitif (Ifsm)100A
Courant de fuite (Ir)10µA

Description technique du produit (DSEI2X101-12A):

Diode rapide 1200V 10A DSEI2X101-12A. Diode de redressement ultra-rapide double, configuration cathode commune, conçue pour les applications de commutation à haute fréquence. Elle offre un temps de recouvrement inverse très court et une faible perte de commutation.