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Ge (tungsram)
Diode rapide 100V 2A EGP20B
Référence produit : EGP20B
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 0.49 € | — |
Caractéristiques techniques
6 paramètres| Tension inverse de crête (Vrrm) | 100V |
| Courant direct (If) | 2A |
| Tension directe (Vf) | 0.95V |
| Courant de crête non répétitif (Ifsm) | 75A |
| Temps de recouvrement (trr) | 50ns |
| Courant de fuite (Ir) | 5µA |
Description technique du produit (EGP20B):
Diode rapide 100V 2A EGP20B. Diode de redressement rapide à jonction passivée verre, conçue pour des applications nécessitant une commutation rapide et une faible perte de puissance.