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Taiwan Semiconductor
Diode rapide 100V 0.15A LL4448GEG
Référence produit : LL4448GEG
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 4 | 0.24 € | — |
| 5 – 9 | 0.14 € | -42% |
| 10 – 19 | 0.10 € | -58% |
| 20 – 49 | 0.06 € | -75% |
| 50+Meilleur prix | 0.04 € | -83% |
Caractéristiques techniques
6 paramètres| Tension inverse de crête (Vrrm) | 100V |
| Courant direct (If) | 150mA |
| Tension directe (Vf) | 1.0V @ 10mA |
| Temps de recouvrement (trr) | 4ns |
| Courant de fuite (Ir) | 25nA @ 75V |
| Courant de crête non répétitif (Ifsm) | 2A |
Description technique du produit (LL4448GEG):
Diode rapide 100V 0.15A LL4448GEG. Diode de commutation rapide à petit signal. Idéale pour les applications nécessitant une commutation rapide et une faible capacité.