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Onsemi

Diode rapide 1000V 8A MUR8100EG

Référence produit : MUR8100EG
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Caractéristiques techniques

6 paramètres
Tension inverse de crête (Vrrm)1000V
Courant direct (If)8A
Tension directe (Vf)1.7V
Courant de crête non répétitif (Ifsm)125A
Temps de recouvrement (trr)75ns
Courant de fuite (Ir)10µA

Description technique du produit (MUR8100EG):

Diode rapide 1000V 8A MUR8100EG. Diode de redressement ultra-rapide conçue pour les applications nécessitant une commutation rapide et une faible perte de puissance. Idéale pour les alimentations à découpage et les convertisseurs.