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Stmicroelectronics

Diode rapide 1000V 8A BYT08P-1000

Référence produit : BYT08P-1000
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Caractéristiques techniques

6 paramètres
Tension inverse de crête (Vrrm)1000V
Courant direct (If)8A
Tension directe (Vf)1.3V
Temps de recouvrement (trr)35ns
Courant de crête non répétitif (Ifsm)120A
Courant de fuite (Ir)10µA

Description technique du produit (BYT08P-1000):

Diode rapide 1000V 8A BYT08P-1000. Diode de redressement rapide à haute efficacité, conçue pour les applications nécessitant une commutation rapide et une faible perte de puissance.