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Taiwan Semiconductor
Diode rapide 1000V 3A HER308
Référence produit : HER308
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 99 | 0.29 € | — |
| 100+Meilleur prix | 0.25 € | -14% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension inverse de crête (Vrrm) | 1000V |
| Courant direct (If) | 3.0A |
| Tension directe (Vf) | 1.7V |
| Courant de crête non répétitif (Ifsm) | 100A |
| Temps de recouvrement (trr) | 75ns |
Description technique du produit (HER308):
Diode rapide 1000V 3A HER308. Diode de redressement à haut rendement, conçue pour des applications nécessitant une commutation rapide et une faible perte de puissance. Elle offre une tension inverse élevée et un temps de recouvrement inverse rapide.