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Taiwan Semiconductor
Diode rapide 1000V 1A HER108
Vendu par lot de 10 (le prix affiché est pour un lot de 10)
Référence produit : HER108
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|---|---|---|
| 1 – 19 | 1.08 € | — |
| 20+Meilleur prix | 1.00 € | -7% |
Caractéristiques techniques
6 paramètres| Tension inverse de crête (Vrrm) | 1000V |
| Courant direct (If) | 1A |
| Tension directe (Vf) | 1.7V |
| Courant de crête non répétitif (Ifsm) | 30A |
| Temps de recouvrement (trr) | 50ns |
| Courant de fuite (Ir) | 5µA |
Description technique du produit (HER108):
Diode rapide 1000V 1A HER108. Diode de redressement à haute efficacité, conçue pour les applications nécessitant un temps de recouvrement rapide et une faible perte de puissance.
. Vendu par lot de 10 (le prix affiché est pour un lot de 10)