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Philips Semiconductors

Diode rapide 1000V 1A BYV26E

Référence produit : BYV26E
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Caractéristiques techniques

6 paramètres
Tension inverse de crête (Vrrm)1000V
Courant direct (If)1A
Tension directe (Vf)1.25V
Temps de recouvrement (trr)25ns
Courant de crête non répétitif (Ifsm)30A
Courant de fuite (Ir)5µA

Description technique du produit (BYV26E):

Diode rapide 1000V 1A BYV26E. Diode de redressement rapide conçue pour les applications nécessitant un temps de recouvrement inverse court et une faible tension directe. Idéale pour les alimentations à découpage et les convertisseurs.