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Vishay

Diode rapide 1000V 1A BYT52M

Référence produit : BYT52M
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Caractéristiques techniques

6 paramètres
Tension inverse de crête (Vrrm)1000V
Courant direct (If)1A
Tension directe (Vf)1.25V
Temps de recouvrement (trr)50ns
Courant de crête non répétitif (Ifsm)30A
Courant de fuite (Ir)5µA

Description technique du produit (BYT52M):

Diode rapide 1000V 1A BYT52M. Diode de redressement ultra-rapide conçue pour les applications nécessitant une commutation rapide et une faible perte de puissance.