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Transistor NPN 80V 1A 2N3019

Référence produit : 2N3019
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Caractéristiques techniques

6 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vceo)80 V
Tension collecteur-base (Vcbo)140 V
Courant collecteur (Ic)1 A
Gain en courant continu (hFE)50-250
Tension collecteur-émetteur de saturation (Vce(sat))0.6 V
Fréquence de transition (fT)100 MHz

Description technique du produit (2N3019):

Transistor NPN 80V 1A 2N3019. Transistor bipolaire NPN de puissance moyenne, conçu pour les applications de commutation et d'amplification.