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Transistor BUH315D

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Transistor BUH315D. Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: 'Hi-res'. Gain hFE maxi: 9. Gain hFE mini: 2.5. Courant de collecteur: 5A. Ic(puls): 12A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 44W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 400 ns. Tf(min): 200 ns. Boîtier: ISOWATT218FX. Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Vebo: 10V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: MONITOR. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 05:25.

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