Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.84€ | 1.01€ |
5 - 9 | 0.80€ | 0.96€ |
10 - 24 | 0.76€ | 0.91€ |
25 - 49 | 0.71€ | 0.85€ |
50 - 99 | 0.70€ | 0.84€ |
100 - 172 | 0.68€ | 0.82€ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.84€ | 1.01€ |
5 - 9 | 0.80€ | 0.96€ |
10 - 24 | 0.76€ | 0.91€ |
25 - 49 | 0.71€ | 0.85€ |
50 - 99 | 0.70€ | 0.84€ |
100 - 172 | 0.68€ | 0.82€ |
Transistor BSP100. Transistor. C (in): 250pF. C (out): 88pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 69 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 24A. Id (T=100°C): 4.4A. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 100nA. Idss (min): 10nA. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 8.3W. Résistance passante Rds On: 0.8 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 21 ns. Td(on): 6 ns. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.8V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: Enhancement mode, TrenchMOS transistor. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 13:25.
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