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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor BDX34C

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Transistor BDX34C. Transistor. Résistance B: 10k Ohms. Résistance BE: 150 Ohms. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 2. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Gain hFE maxi: 750. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 10A. Ic(puls): 15A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 70W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. C (in): oui. C (out): -100V. Nombre de connexions: 3. Fonction: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Spec info: transistor complémentaire (paire) BDX33C. Diode BE: non. Diode CE: oui. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 03:25.

Documentation technique

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