Transistor BC860C

Transistor BC860C. Transistor. C (in): 10pF. C (out): 4.5pF. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Courant de collecteur: 0.1A. Remarque: transistor complémentaire (paire) BC850C. Marquage sur le boîtier: 4g. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Puissance: 0.25W. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -68...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.075V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.65V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: sérigraphie/code CMS 4G. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 20:25.